Composants électroniques de circuit imprimé Mémoire 8 WDFN à contacts apparents GD55B01GEYIGR, canal fabricant
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Attributs
GD55B01GEYIGRNuméro de Type
Montage en SurfaceType de montage
ChinaPoint d'origine
OriginalMarque nom
MémoireApplication fonctionnelle
8 Tampon exposé WDFNEmballage
Série:Mémoire
Décrire:Flash IC 1 Go SPI/QUAD
Organisation de la mémoire:128 millions x 8
Interface mémoire:E/S quadruples SPI, QPI, DTR
Fréquence d'horloge:133 MHz
Temps d'accès:6 secondes
Caractéristiques du produit
Numéro de Type
GD55B01GEYIGR
Type de montage
Montage en Surface
Point d'origine
China
Marque nom
Original
Application fonctionnelle
Mémoire
Emballage
8 Tampon exposé WDFN
Série
Mémoire
Décrire
Flash IC 1 Go SPI/QUAD
Organisation de la mémoire
128 millions x 8
Interface mémoire
E/S quadruples SPI, QPI, DTR
Fréquence d'horloge
133 MHz
Temps d'accès
6 secondes
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
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3 000 - 5 999 pièce
3,76 €
>= 6 000 pièce
1,89 €
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GD55B01GEYIGR
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Composants électroniques de circuit imprimé Mémoire 8 WDFN à contacts apparents GD55B01GEYIGR, canal fabricant











