Composants électroniques de puces mémoire 8 WDFN à contacts apparents GD5F1GQ5UEYIGY – Distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 GbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:256 millions x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:600 micros
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
1 Gbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Organisation de la mémoire
256 millions x 4
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
600 micros
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI, DTR
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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4800 - 7799 pièce
0,9703 €
>= 7800 pièce
0,4873 €
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