Composant électronique CI mémoire 8 WDFN à contacts apparents S25FL256LDPNFV013 en stock pour BOM
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:66 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
66 MHz
Organisation de la mémoire
32Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1,27 €
>= 5500 pièce
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