Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
1 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:100 kilohertz
Organisation de la mémoire:128 par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:1,5 ms
Interface mémoire:I2C
