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Mémoire 90 VFBGA AS4C16M32MS-7BCNTR Acheter des composants électroniques en ligne BOM IC en stock

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

AS4C16M32MS-7BCNTR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

512Mbit

Point d'origine

China

Description

CI DRAM 512Mbit parallèle 90FBGA

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Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - SDRAM mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
16M x 32
Type de montage
Montage en surface
Référence fabricant
AS4C16M32MS-7BCNTR
Marque nom
Original
Taille de La mémoire
512Mbit
Point d'origine
China
Description
CI DRAM 512Mbit parallèle 90FBGA
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-25°C ~ 85°C (TA)
Package/Boîte
90-VFBGA
Série
-
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
133 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15ns
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs