Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:104 MHz
Organisation de la mémoire:2M x 2, 4M x 1
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:75 µs, 2 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S
