Composant électronique Mémoire AS4C256M16D4A-62BCN 96 TFBGA en stock
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Attributs
SDRAM-DDDR4Technologie
volatileType de mémoire
256 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4GbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR4
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
256 millions x 16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
4Gbits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
POD
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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