





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:Éclair
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:66 MHz
Organisation de la mémoire:264 octets x 1 024 pages
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:4 mètres
Interface mémoire:PI














