Composants électroniques Memory BY25Q32CSTJG(R) 8 SOlC, distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
32 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré de puce de composant électronique ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:108 MHz
Organisation de la mémoire:4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 µs, 4 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puce de composant électronique IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
108 MHz
Organisation de la mémoire
4Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
60 µs, 4 ms
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, QPI
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 000 - 6 999 pièce
0,1318 €
>= 7 000 pièce
0,0681 €
Options
SélectionnerSpécification
PAR25Q32CSTJG(R)
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