Mémoire CY15B004Q-SXET 8 SOlC Composants Électroniques Distributeur Autorisé
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
512 par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:16 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI

5Chips Tech Limited
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Marchés principaux: Kazakhstan, Hong Kong (RAS), Danemark, États-Unis d'Amérique, Australie
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512 par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
16 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
PI
Emballage et livraison
vente Unités
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seul paquet taille
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