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Composant électronique de mémoire CY7C109B-12ZXCT 32 TFSOP, circuit intégré (CI) en stock

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Attributs

Composant et pièceType
1 MbitTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Composant électroniqueCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:12 secondes
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
1 Mbit
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM - Asynchrone
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
128Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
12 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
874 - 3 873 pièce
1,18 €
>= 3 874 pièce
0,587 €

Spécification

CY7C109B12ZXCT

Expédition

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