Composant électronique Module DIP 28 Memory DS1225AD-70+ Original Service complet
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Attributs
NVSRAM (SRAM non volatile)Technologie
Non volatileType de mémoire
8K par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
64 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
8K par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
64 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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