Composants électroniques de circuit Module DIP 32 bits Mémoire DS1250AB-70 Distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Tube, tubeType de conditionnement
MémoireApplication
Pièces et composants électroniquesCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tube, tube
Application
Mémoire
Caractéristiques
Pièces et composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
70 secondes
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
4 - 3 003 pièce
33,38 €
>= 3 004 pièce
16,69 €
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DS1250AB70
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