Mémoire DS1270W-150 # Module DIP 36 Acheter des composants électroniques en ligne Distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
16 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Tube, tubeType de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré ICCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:2Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:150 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tube, tube
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
2Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
150 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
2 - 8 pièce
73,50 €
>= 9 pièce
68,15 €
Options
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DS1270W150 #
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