Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Tube, tubeType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,5 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle
