Composants électroniques Memory DS2016R-100+ 24 SOlC en stock
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Attributs
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégré de puces ICCaractéristiques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SRAM
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:100 nanos
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SRAM
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
2K par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
100 nanos
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
31 - 3 030 pièce
3,35 €
>= 3 031 pièce
1,68 €
Options
SélectionnerSpécification
DS2016R100+
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