Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Plateau, plateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:NVSRAM (SRAM non volatile)
Tension D'alimentation:4,75 V ~ 5,25 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:32 000 x 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:70 secondes
Interface mémoire:Parallèle
