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Composants électroniques de circuit mémoire EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR 134 VFBGA BOM IC en stock

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Code de date de fabrication

NEUF

Caractéristiques

Marque nom

Original

Référence fabricant

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Type de montage

Montage en surface

Taille de La mémoire

1Gbit

Point d'origine

China

Description

IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA

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Caractéristiques du produit

Marque nom
Original
Référence fabricant
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR
Type de montage
Montage en surface
Taille de La mémoire
1Gbit
Point d'origine
China
Description
IC DRAM 1GBIT PAR 134VFBGA
Type de conditionnement
Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 105°C (TC)
Package/Boîte
134-VFBGA
Série
-
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - Mobile LPDDR2
Tension D'alimentation
1.14V ~ 1.95V
Fréquence de l'horloge
533 MHz
Organisation de la mémoire
32M x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Format de mémoire
DRAM

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.1 kg

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