Composants électroniques de circuit mémoire EDB8164B4PT-1DIT-F-R TR 216 WFBGA, distributeur agréé
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR2 mobile
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:533 MHz
Organisation de la mémoire:128 millions x 64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR2 mobile
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge
533 MHz
Organisation de la mémoire
128 millions x 64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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1000 - 3999 pièce
5,39 €
>= 4000 pièce
2,70 €
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