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Composants électroniques Memory EMD3D256M08G1-150CBS1 78 TFBGA, distributeur agréé

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Attributs

Composant et pièceType
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Circuits intégrésCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:1,425 V ~ 1,575 V
Fréquence de l'horloge:667 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
256 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
1,425 V ~ 1,575 V
Fréquence de l'horloge
667 MHz
Organisation de la mémoire
32Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
380 - 3 379 pièce
23,52 €
>= 3 380 pièce
11,77 €

Spécification

EMD3D256M08G1150CBS1

Expédition

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