Composants de circuits électroniques de mémoire MT62F2G64D8CZ-023 AIT:C TR BOM IC En stock
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Attributs
SDRAM - LPDDR5 mobileTechnologie
-Type de mémoire
-Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
128 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
-
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
128 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2 500 - 5 499 pièce
46,45 €
>= 5 500 pièce
23,23 €
Options
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MT62F2G64D8CZ 023 AIT : C TR
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