Composant électronique de mémoire MT62F1G64D8CH-031 WT:B TR Original Service unique
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR5 mobile
Tension D'alimentation:1,05 V
Fréquence de l'horloge:3,2 GHz
Organisation de la mémoire:1Gx64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
64 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Accessoires de composants électroniques
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Tension D'alimentation
1,05 V
Fréquence de l'horloge
3,2 GHz
Organisation de la mémoire
1Gx64
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2500 - 5499 pièce
14,25 €
>= 5500 pièce
7,13 €
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