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Composant électronique de mémoire N2M400GDB321A3CF TR BOM IC en stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:52 MHz
Organisation de la mémoire:8Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:MMC

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
64 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré de composants électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
52 MHz
Organisation de la mémoire
8Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
MMC

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1000 - 3999 pièce
6,16 €
>= 4000 pièce
3,08 €

Expédition

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