





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
TuyauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FRAM (RAM ferroélectrique)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:20 MHz
Organisation de la mémoire:512 par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:PI














