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Mémoire GD25LD80CSIGR 8 SOlC Acheter des composants électroniques en ligne Service unique original

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Attributs

Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Circuit intégréCaractéristiques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:50 MHz
Organisation de la mémoire:1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 µs, 6 ms
Interface mémoire:SPI - Double E/S

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 mégabits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NON
Tension D'alimentation
1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge
50 MHz
Organisation de la mémoire
1M8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
60 µs, 6 ms
Interface mémoire
SPI - Double E/S

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
10 000 - 12 999 pièce
0,15 €
>= 13 000 pièce
0,0772 €

Spécification

GD25LD80CSIGR

Expédition

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