





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
256 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:32Mx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:60 µs, 2,4 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI














