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Mémoire GD25T512MEFIRR 16 SOlC Acheter des composants électroniques en ligne Service unique original

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Spécification

GD25T512MEFIR

Caractéristiques

Type

Composant et pièce

Taille de La mémoire

512 Mbits

Point d'origine

China

Type de conditionnement

Bande et bobine (TR)

Application

Mémoire

Caractéristiques

Circuit intégré

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Caractéristiques du produit

Technologie
FLASH - NON (SLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
64Mx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
200 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
SPI - Quad E/S, DTR

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs