Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Pièces et composants électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4X mobile
Tension D'alimentation:1,17 V ~ 1,06 V, 1,95 V ~ 1,7 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:256 millions x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:18 ans
Interface mémoire:Parallèle
