Composant électronique Memory IS61QDB22M18-250M3L 165 LBGA, distributeur agréé
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Attributs
SRAM - Synchrone, QUADTechnologie
volatileType de mémoire
2Mx18Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
36 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Plateau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique Bom Service
Tension D'alimentation:1,71 V ~ 1,89 V
Fréquence de l'horloge:250 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SRAM - Synchrone, QUAD
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
2Mx18
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique Bom Service
Fréquence de l'horloge
250 MHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
36 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
1,71 V ~ 1,89 V
Type de conditionnement
Plateau
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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paquet taille par lot
1X1X1 cm
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0.100 kg
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IS61QDB22M18 250M3L
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