Composants électroniques originaux Memory M24C04-DRDW3TP/K 8 TSSOP, service complet
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:EEPROM
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Organisation de la mémoire:512 par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:4 mètres
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
4 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
EEPROM
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
1 MHz
Organisation de la mémoire
512 par 8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
4 mètres
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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0,171 €
>= 4000 pièce
0,1155 €
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