Composants électroniques originaux Memory MB85RC16VPNF-G-JNN1E1 8 SOIC – Service complet
Note de la boutique :5.0
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Attributs
FRAM (RAM ferroélectrique)Technologie
Non volatileType de mémoire
2K par 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 KoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Tuyau
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:3 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge:1 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:I2C
Caractéristiques du produit
Technologie
FRAM (RAM ferroélectrique)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
2K par 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Ko
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Tuyau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
3 V ~ 5,5 V
Fréquence de l'horloge
1 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
I2C
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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MB85RC16VPNFG JNN1E1
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