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Composant électronique Memory MR2A08AYS35 44 TSOP en stock

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant de puces électroniques
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
4 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant de puces électroniques
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
512Kx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1 - 3000 pièce
12,80 €
>= 3001 pièce
6,40 €

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