Composants électroniques en ligne : Mémoire MR3A16AYS35R 54 TSOP – CI BOM en stock
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Attributs
MRAM (RAM magnétronrésistif)Technologie
Non volatileType de mémoire
512Kx16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Pièces et composants électroniques
Tension D'alimentation:3V ~ 3,6V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:35 secondes
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
MRAM (RAM magnétronrésistif)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512Kx16
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Pièces et composants électroniques
Fréquence de l'horloge
-
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
8 mégabits
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
35 secondes
Tension D'alimentation
3V ~ 3,6V
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
paquet taille par lot
1X1X1 cm
poids brut par lot
0.100 kg
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