Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:2Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
