Composants électroniques de puces mémoire MT29F32G08ABCABH1-10ITZ:A TR 100 VBGA en stock
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Attributs
FLASH - NANDTechnologie
Non volatileType de mémoire
4Gx8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
4Gx8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
32 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composants électroniques IC
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
100 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
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MT29F32G08ABCABH1 10ITZ : UN TR
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