Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
32 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composant électronique
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:4Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
