Composants électroniques de circuit TR Memory MT29F4T08EULEEM4-M:E en stock
Composants électroniques de circuit TR Memory MT29F4T08EULEEM4-M:E en stockAucun avis pour l'instant
Attributs
-Technologie
-Type de mémoire
512 Go x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4TbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
Caractéristiques du produit
Technologie
-
Type de mémoire
-
Organisation de la mémoire
512 Go x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Tbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
-
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
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MT29F4T08EULEEM4 M : E TR
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