Composants électroniques de puces mémoire MT29F4T08EULEEM4-R:E TR 132 BGA d'origine
Note de la boutique :4.6
(3 avis)
Attributs
FLASH - NAND (TLC)Technologie
Non volatileType de mémoire
512 Go x 8Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
4TbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation:2,6 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
FLASH - NAND (TLC)
Type de mémoire
Non volatile
Organisation de la mémoire
512 Go x 8
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
4Tbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Kit de composants électroniques
Tension D'alimentation
2,6 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2 000 - 4 999 pièce
49,02 €
>= 5 000 pièce
24,51 €
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MT29F4T08EULEEM4 R : E TR
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