





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Ruban et bobine (TR), ruban coupé (CT)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré de puces IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND (SLC)
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:1Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle














