Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 Gbits (NAND), 4 Gbits (LPDDR4)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND (SLC), mémoire vive - LPDDR4
Tension D'alimentation:1,06 V ~ 1,17 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:512 Mo x 8 (NAND), 128 Mo x 32 (LPDDR4)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:30 secondes
Interface mémoire:ONFI
