





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
4 Gbits (NAND), 4 Gbits (LPDDR4)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques IC
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND, mémoire vive - LPDDR4
Tension D'alimentation:1,8 V
Fréquence de l'horloge:1866 MHz
Organisation de la mémoire:512 Mo x 8 (NAND), 128 Mo x 32 (LPDDR4)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle














