





Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
2 To (NAND), 48 Gbit (LPDDR4X)Taille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Pièces et composants électroniques
Type de mémoire:Non volatil, volatil
Technologie:FLASH - NAND, mémoire vive - LPDDR4X
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:256 Go x 8 (NAND), 1,5 Go x 32 (LPDDR4X)
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:UFS2.1














