Composants électroniques de circuit mémoire MT40A512M16AD-062E AUT:E TR 96 TFBGA en stock
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Attributs
SDRAM-DDDR4Technologie
volatileType de mémoire
512 millions x 16Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
8 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuit intégré
Tension D'alimentation:1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge:1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:15 secondes
Interface mémoire:POD
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM-DDDR4
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 16
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
8 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré
Tension D'alimentation
1,14 V ~ 1,26 V
Fréquence de l'horloge
1,6 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
15 secondes
Interface mémoire
POD
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
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2 000 - 4 999 pièce
5,25 €
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2,63 €
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MT40A512M16AD 062E AUT : TR
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