Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
576 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants électroniques en ligne
Type de mémoire:volatile
Technologie:DRAM
Tension D'alimentation:1,28 V ~ 1,42 V
Fréquence de l'horloge:1,066 GHz
Organisation de la mémoire:16M x 36
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
vente Unités:Article unique
seul paquet taille:1X1X1 cm
unique poids brut:0.100 kg
