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Composants électroniques de circuit mémoire MT48H16M32L2B5-10 IT TR 90 VFBGA Fabricant de composants électroniques Canal

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Attributs

Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
512 MbitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPSDR mobile
Tension D'alimentation:1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge:100 MHz
Organisation de la mémoire:16Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle

Caractéristiques du produit

Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
512 Mbits
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuit intégré IC
Type de mémoire
volatile
Technologie
SDRAM - LPSDR mobile
Tension D'alimentation
1,7 V ~ 1,9 V
Fréquence de l'horloge
100 MHz
Organisation de la mémoire
16Mx32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
Parallèle

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
1000 - 3999 pièce
14,42 €
>= 4000 pièce
7,21 €

Expédition

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