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Composant électronique MT52L512M32D2PF-093 WT ES:B TR 178 VFBGA, mémoire, BOM IC, en stock

Note de la boutique :5.0
(1 avis)

Attributs

SDRAM - LPDDR3 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Bande et bobine (TR)
Application:Mémoire
Caractéristiques:Composant électronique
Tension D'alimentation:1,2 V
Fréquence de l'horloge:1067 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-

Caractéristiques du produit

Technologie
SDRAM - LPDDR3 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Type
Composant et pièce
Taille de La mémoire
16 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Bande et bobine (TR)
Application
Mémoire
Caractéristiques
Composant électronique
Tension D'alimentation
1,2 V
Fréquence de l'horloge
1067 MHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
-

Emballage et livraison

vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg

Délai de préparation de la commande

Description des produits par le fournisseur

Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateurs
Easy return
1 000 - 3 999 pièce
9,04 €
>= 4 000 pièce
4,52 €

Spécification

MT52L512M32D2PF 093 WT ES : B TR

Expédition

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