Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
12 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Composants de pièces électroniques
Type de mémoire:volatile
Technologie:SDRAM - LPDDR4 mobile
Tension D'alimentation:1,1 V
Fréquence de l'horloge:2,133 GHz
Organisation de la mémoire:384 million x 32
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:-
