Composants électroniques de circuit original Memory MT62F512M32D2DS-031 AIT:B 200 WFBGA
Note de la boutique :5.0
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Attributs
SDRAM - LPDDR5 mobileTechnologie
volatileType de mémoire
512 millions x 32Organisation de la mémoire
Composant et pièceType
16 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Type de conditionnement:Boîte
Application:Mémoire
Caractéristiques:Circuits intégrés
Tension D'alimentation:-
Fréquence de l'horloge:3,2 GHz
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:Parallèle
Caractéristiques du produit
Technologie
SDRAM - LPDDR5 mobile
Type de mémoire
volatile
Organisation de la mémoire
512 millions x 32
Type
Composant et pièce
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Fréquence de l'horloge
3,2 GHz
Point d'origine
China
Taille de La mémoire
16 Go
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Tension D'alimentation
-
Type de conditionnement
Boîte
Interface mémoire
Parallèle
Emballage et livraison
vente Unités
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MT62F512M32D2DS 031 AIT :B
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