Mémoire MTFC8GLWDQ-3L AAT Z 100 LBGA Acheter des composants électroniques en ligne Original
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Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 GoTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
PlateauType de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuits intégrés
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NAND
Tension D'alimentation:2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge:-
Organisation de la mémoire:8Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:-
Interface mémoire:MMC
Caractéristiques du produit
Type
Composant et pièce
Code Date de fabrication
Nouveau
Taille de La mémoire
64 Go
Point d'origine
China
Type de conditionnement
Plateau
Application
Mémoire
Caractéristiques
Circuits intégrés
Type de mémoire
Non volatile
Technologie
FLASH - NAND
Tension D'alimentation
2,7 V ~ 3,6 V
Fréquence de l'horloge
-
Organisation de la mémoire
8Gx8
Temps de cycle d'écriture-Word, Page
-
Interface mémoire
MMC
Emballage et livraison
vente Unités
Article unique
seul paquet taille
1X1X1 cm
unique poids brut
0.100 kg
Délai de préparation de la commande
Description des produits par le fournisseur
Avertissement/Disclaimer
California Proposition 65 Avis aux consommateursVoir plus
100 - 3099 pièce
0,5125 €
>= 3100 pièce
0,2563 €
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