Attributs
Composant et pièceType
NouveauCode Date de fabrication
64 mégabitsTaille de La mémoire
ChinaPoint d'origine
Bande et bobine (TR)Type de conditionnement
MémoireApplication
Caractéristiques:Circuit intégré IC
Type de mémoire:Non volatile
Technologie:FLASH - NON (SLC)
Tension D'alimentation:1,65 V ~ 2 V
Fréquence de l'horloge:133 MHz
Organisation de la mémoire:16M x 4, 32M x 2, 64M x 1
Temps de cycle d'écriture-Word, Page:40 µs, 3 ms
Interface mémoire:SPI - Quad E/S, QPI
